0.42 Nanometre İle Transistörleri Silikonun Ötesine Taşıyabilir
Araştırmacılar, atomik olarak ince yarı iletkenler kullanarak daha küçük ve daha verimli yongalar oluşturmak için bir yol buldular. Bu yarı iletkenler, sadece bir atom kalınlığında olabilir ve etkileyici elektriksel özellikler sunabilir. Araştırmacılar, bu soruna çözüm bulmak için yeni bir yöntem geliştirdiler.