Araştırmacılar, atomik olarak ince yarı iletkenler kullanarak daha küçük ve daha verimli yongalar oluşturmak için bir yol buldular. Bu yarı iletkenler, sadece bir atom kalınlığında olabilir ve etkileyici elektriksel özellikler sunabilir. Ancak, malzeme sınırındaki bir sorun, performanslarını sınırlamıştır.
Araştırmacılar, bu soruna çözüm bulmak için yeni bir yöntem geliştirdiler. Ultrasın bir epitaksiyal alüminyum katmanı, monolayer molibden disülfid (MoS2) üzerine yerleştirildi. Ardından, alüminyum oksitlenerek yaklaşık 0.42 nanometre kalınlığında bir alüminyum oksit katmanı oluşturuldu. Son olarak, yüksek κ (kappa) hafnium oksit kapak dielektrik eklenerek, transistorün performansını artırmak amacıyla arayüzün yeniden tasarlanması sağlandı.
Yeni arayüz tasarımı, transistorün performansını artırmak için önemli bir adım olarak görülüyor. Araştırmacılar, bu tasarımı kullanarak, kısa-kanallı üst-kapak transistörler oluşturdular ve bunların performansını test ettiler. Sonuçlar, düşük sızıntı akımı, minimal histerezis ve maksimum transkonduktansın 0.45 mS μm-1 olduğunu gösterdi.
